请问ESD保护做到15000V应该采用什么结构？

ffqq · 发表于 2007-4-18 09:32:18

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请问ESD保护做到15000V应该采用什么结构？采用可控硅结构可以吗？我查阅很多文献，他们一般都是达到8000V以上，当然他的面积也是有限的,是否可以这样认为这种结构如果在增大面积，它的ESD保护能力可以继续提高？

semico_ljj · 发表于 2007-4-18 10:05:07

15000V？论文上都没见过！

Jaaames · 发表于 2007-4-18 11:12:07

IEC Spec? SCR should work.

ffqq · 发表于 2007-4-18 11:26:05

论文一直都是8000 但是规定目标就是15000 好想也只有SCR可以达到这种水平！

semico_ljj · 发表于 2007-4-18 13:06:23

SCR不只是结构重要，和工艺有很大的关系，要和代工厂联系的！

ffqq · 发表于 2007-4-18 13:11:02

我多少了解一下，主要看工艺的浓度和结深都影响ESD能力！

ffqq · 发表于 2007-4-18 13:14:53

非常感谢各位啊，给我提出宝贵经验

casdvo · 发表于 2007-4-18 15:39:09

这个我很熟，这么高的ＥＳＤ保护要用ＳＣＲ，应该是纵向器件，利用ＷＡＦＥＲ的厚度来导通大电流，

semico_ljj · 发表于 2007-4-18 20:53:35

楼上知道耐高压的SCR，下次一定要请教了！
请问您做过DMOS（包括横向和纵向的）

ffqq · 发表于 2007-4-19 11:18:34

根据我的了解做SCR的ESD保护电路，泄放电流都应该在表面啊？另外请问对一个普通的SCR结构P+ N+的窗口尺寸怎么确定啊？？

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