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查看: 4558|回复: 9

[求助] 偶然看到一个MCU的RC OSC spec,不知1%是怎么实现的

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发表于 2015-3-3 14:52:00 | 显示全部楼层 |阅读模式

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有无大神指点下?
未命名.bmp
发表于 2015-3-3 17:01:41 | 显示全部楼层
一次校准之后,频率随V,T变化±1%还算好做吧
发表于 2015-3-3 18:57:52 | 显示全部楼层
数字校准
 楼主| 发表于 2015-3-4 13:51:28 | 显示全部楼层
回复 2# victor0o0

整片wafer的die  RC 随温度变化1%都可以实现吗?
发表于 2015-3-4 14:04:06 | 显示全部楼层
有人把振荡器用带隙基准的思路做,进行温度补偿,例如一个基准电流给电容充电。
发表于 2015-3-4 15:03:31 | 显示全部楼层



可以啊,这东西本来就只受RC温漂影响,也就R温漂稍微大些。
 楼主| 发表于 2015-3-5 10:01:48 | 显示全部楼层
回复 5# brightorange
补偿后的电流全wafer 下也会超过1%啊
 楼主| 发表于 2015-3-5 10:03:37 | 显示全部楼层
回复 6# victor0o0
那问下全片wafer的电阻温度漂移一致性很好吗?一致性不好也会超出1%啊。
发表于 2015-3-5 15:17:50 | 显示全部楼层


   
回复  victor0o0
那问下全片wafer的电阻温度漂移一致性很好吗?一致性不好也会超出1%啊。
reckoner 发表于 2015-3-5 10:03




    corner下电阻率变化主要与掺杂,厚度有关,加起来±30%,温漂只和掺杂有关,偏不了多大
发表于 2022-8-22 09:13:23 | 显示全部楼层


   
brightorange 发表于 2015-3-4 14:04
有人把振荡器用带隙基准的思路做,进行温度补偿,例如一个基准电流给电容充电。 ...


哥,这种的靠不靠谱啊
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