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[求助] 请教一下,关于NT_N层的作用

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发表于 2015-2-12 17:04:04 | 显示全部楼层 |阅读模式

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最近在画电平转换器时,有发现一个device需要加NT_N层,请问一下这一层的具体作用是什么?谢谢。
发表于 2015-2-13 09:03:12 | 显示全部楼层
衬底隔离,隔离槽,作用类似于ring,预防latch-up,离子污染。我只知道这些了。
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 楼主| 发表于 2015-2-13 17:04:48 | 显示全部楼层
回复 2# 939903347


    您好,能否更加详细解释一下,我看DesignRule上说NT_N叫Native NMOS Blocked Implant,请问native NMOS是什么东东?谢谢
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发表于 2015-2-13 19:44:24 | 显示全部楼层
正常的nmos是做在p型衬底上的,native nmos 的衬底没有p注入,NT_N的区域就当成是没有任何注入的的硅,隔离噪声一般也会用到这层
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发表于 2015-2-13 20:33:23 | 显示全部楼层
对,隔离噪声用的, native layer
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发表于 2015-2-19 21:32:37 | 显示全部楼层
suggest referring the masking layers and bias table ...
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发表于 2015-2-26 21:25:00 | 显示全部楼层
回复 1# asukatang

有疑问不要瞎猜,先问designer,很多是设计错误。native mos会有漏电,轻易不用。
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发表于 2015-3-13 11:19:23 | 显示全部楼层
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发表于 2015-3-18 16:01:00 | 显示全部楼层
他们的开启电压也不同,要问一问电路设计人员
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发表于 2020-12-16 18:27:08 | 显示全部楼层


   
memcad 发表于 2015-2-26 21:25
回复 1# asukatang

有疑问不要瞎猜,先问designer,很多是设计错误。native mos会有漏电,轻易不用。 ...


您说的漏电是指哪里漏电?
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