|
马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。
您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册
×
本帖最后由 江南的小镇 于 2015-1-14 15:48 编辑
公司第一期注册资本1000万美金,引进韩国现有的成熟Nand Flash技术工艺及研发团队,并联合具有国内集成电路行业十多年运营经验的管理团队,共同开发研制具有中国自主专利产权的系列高端Nand Flash存储芯片。
现急招Memory IC Designer,有Nand Flash / NOR/NOR SPI / EEPROM, DRAM等存储IC模拟或者数字设计经验人员。公司刚刚成立,上升空间大,技术提升快。职位从普通工程师到主任工程师都在诚挚招聘中。
职务名称: Memory Circuit Design
所属部门: R & D
直属上级: Design Team Director
职务概要:
Flash Memory Circuit Design
业务内容:
30% Each Block Circuit Design
30% Flash Memory Full Chip Verification
10% Check Layout Data Base
15% Design Verification
10%Create new idea
5%Support test team & sales team
任职资格:
1.学历: 本科及以上
2.专业:电子专业优先(电器/电子 相关专业)
3.工作年限:7年以上工作经验4.经验:半导体电路设计(有存储器设计经验者优先)
|
|