芯片流片回来出现闩锁

上海大学 · 发表于 2015-1-16 12:25:03

不错。。。。。。。。。

蚊子咬后 · 发表于 2015-2-3 23:51:29

N/P这么近，又没有double ring保护，直接接IO的尺寸看样子也不大。这风险大呀。

albertyin · 发表于 2015-3-11 17:26:33

P/NMOS间距离要求相关点:
1. 工艺不同而有不同
2. P/NMOS的接电源/地的diffision面积越大, 距离要越大
3. 隔离环到电源地 pin阻抗越小, 隔离效果越好
4. 芯片级时, 要注意考虑芯片工作或ESD测试时, 电源瞬间跳低, 地瞬间跳高, 而容易触发latchup.

yanghui_ · 发表于 2021-6-13 15:54:41

不错

xiongjf · 发表于 2021-12-17 14:45:33

你这距离没拉开呀

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