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[求助] GA GB slit nmos in TSMC工艺

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发表于 2014-11-6 16:37:00 | 显示全部楼层 |阅读模式

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最近在看TSMC design rule
有几个不明白?
1.什么叫做slit NMOS?
2.TSMC里面有很多device,分为GA和GB,这是什么意思?group A和group B?这样分有什么意义?
还请大牛指导
发表于 2014-11-6 17:14:47 | 显示全部楼层
2. GA和GB不能同时使用,只能选其一

点评

有用  发表于 2022-12-6 15:35
 楼主| 发表于 2014-11-7 15:01:47 | 显示全部楼层
回复 2# archersqin


    恩 今天看明白了,group A 偏向于低压 ,group B偏向于高压。
但是slit NMOS 也还没搞明白

点评

有用  发表于 2022-12-6 15:34
发表于 2025-4-18 10:21:12 | 显示全部楼层
在MOS器件的​​漏极延伸区(Drift Region)​​制造物理分割(Slit),形成多个并联的导电通道,关键技术优势:
​​电场分布优化​​:通过分散漏极边缘电场,提升击穿电压
​​热应力分散​​:降低大电流下的局部温升
​​寄生电容削减​​:减少Cgd/Cds结电容

AI说的。
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