Device 研究

玉道老人 · 发表于 2014-10-27 15:04:06

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本帖最后由玉道老人于 2014-10-27 15:55 编辑

最近遇到一个器件，电学特性不理解，请大家帮忙一起讨论。
器件是一个BCD工艺的中压NMOS对称结构Device，典型layout如下图所示，对此器件的W/L为100um/20um跟5um/20um分别进行Id_Vg的转移曲线测试，测试曲线分别如下图所示，请问这个5um/20um的曲线为什么会是这个样子？这会是什么效应？

典型layout

100um/20um

5um/20um

追风的孩子 · 发表于 2014-11-20 18:10:28

华虹NEC的？

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[讨论] Device 研究

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