MOS的寄生电容

hszgl

回复 8# 何平


    http://web.engr.oregonstate.edu/~moon/ece323/hspice98/files/chapter_15.pdf
这个更全面一点。

a1054958688

这些电容是非互易电容，Cij!=Cji，同时有定义式Cij=dQi/dVij！

myCollins

学习了。。

semico_ljj

mark。。。

dsj83117

silencez1

http://www.eetop.cn/blog/html/55/353155-32313.html

free_dragon

   

hszgl 发表于 2014-8-26 19:46
回复 8# 何平

Thank you for offering this detailed document. Dramatically useful.

krnioee

谢谢，学习下

yyan72

在bsim4模型中，mos管s d g三端的电平变化，导致各端口的电荷积累情况的变化情况，是用电容c**来表示，比如cgg=dQg/dvg，即g端的电平增量导致g端的正电荷积累增加。为表征各端口的电压变化和电荷变化的对应关系，分别取出cgi，csi，cdi，其中i表示该端口外的另3个端口。
从电容充放电理论来理解，电容一端因为正向电压而有正电荷增加时，其另一端必将有同等数量的负电荷的增加，所以当g端相对于i端有电压增加时，g端正电荷增加，而i端将有负电荷的增加，所以cgg=dQg/dvg为正值，而cgs cgd cgb则表示因g端相对于s d b端有相同电压增加时，在s d b端形成的负电荷的增加量，虽然电荷变量相等，但电性是相反的，所以cgi都需要取负值，但cgg+cgs+cgd+cgb=0是始终成立的；同理以上理解也可以推广到s端的css csd csb csg和d端的cdd cds cdg cdb；即css和cdd为正，而csi和cdi均为负，且css+csd+csb+csg=0  cdd+cds+cdg+cdb=0

q8097

   

yyan72 发表于 2021-4-29 15:59
在bsim4模型中，mos管s d g三端的电平变化，导致各端口的电荷积累情况的变化情况，是用电容c**来表示，比如 ...

大佬牛逼，收藏了