ESD pmos nmos

mikeppq · 发表于 2014-7-23 14:44:43

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ESD保护中，一般GDPMOS的能力比GGNMOS好。为什么不用pmos代替nmos？

math123 · 发表于 2014-7-26 20:40:03

本帖最后由 math123 于 2014-7-27 18:49 编辑

一般都是GGNMOS比GDPMOS好吧，有的小芯片单用GGNMOS的，GGNMOS snapback明显，能钳位到更低的电压，减少热量。
普通layout的小PMOS管或者比小的NMOS管可靠，但是在大面积的ESD管中，GGNMOS因为snapback更好反而更可靠，能更均匀导通，个人的ESD经验不多，这是猜测

crazyboy · 发表于 2014-7-27 15:49:07

回复 2# math123

GGNMOS有GDPMOS更容易均匀导通吗？

math123 · 发表于 2014-7-27 19:04:44

回复 3# crazyboy

这只是一种猜测，GDPMOS衬底的PNP beta小，在ESD的时候基极会流过很大的电流，而NWELL是有一定电阻的，这样可能导致各个finger 之间的VBE有偏差，从而导致finger导通不均匀。而GGNMOS的beta相对大，受到的影响也小些。

crazyboy · 发表于 2014-7-29 00:13:51

回复 4# math123

从snapback曲线看，GDPMOS 的hold voltage 一般都不会太小，稍微比triggered voltage低点，这样更有利于多fingers开启吧？而GGNMOS一般snapback之后，hold voltage非常低，可能会出现没等全部fingers开启，ESD device已经烧死了！当然这不是绝对的，也有看到GDPMOS snapback很深的，这跟process有关吧。如果在GGNMOS所有finger能充分利用的情况下，性能应该会比GDPMOS优越，毕竟能量跟V*I有关系。

mikeppq · 发表于 2014-7-29 10:14:07

NMOS在导通之后，电场会在drain和gate之间汇聚，会造成局部热斑，而PMOS没有这个问题，所以PMOS性能会比NMOS好。所以有些疑问：不知道有没有人用pmos代替nmos的，或者这样做有什么不妥的地方？

tq0010c · 发表于 2014-8-27 20:00:03

GDPMOS只会用其寄生Diode，不会让它breakdown

enian · 发表于 2014-9-30 23:28:32

回复 6# mikeppq

这个局部热班 pmos为啥木有？

hwynhh@163.com · 发表于 2019-5-4 20:53:57

tq0010c 发表于 2014-8-27 20:00
GDPMOS只会用其寄生Diode，不会让它breakdown

原因是什么呢？请教一下

christ0426 · 发表于 2019-6-11 20:23:30

学习一下

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