ESD与latch up的区别

Miya.huang · 发表于 2019-7-18 09:53:36

SD是高压击穿了栅，latch up是电流太大烧毁了器件

Miya.huang · 发表于 2019-8-1 09:13:29

谢谢分享!

星辰0000 · 发表于 2019-8-23 16:52:01

你们都做ESD的吗

alex_2012 · 发表于 2019-9-6 16:56:53

Latch-Up是指芯片中power pin 和ground pin之间由于PNP和NPN双极性BJT相互影响而产生的一个低阻抗通路。它的存在会使power pin和ground pin之间产生大电流。过大的电流有可能会永久性的破坏芯片的基本结构。
ESD即静电放电效应，是芯片制造和使用中最容易破坏芯片的因素之一。简单来说就是正负电荷的过快释放，产生极大的电压差，导致芯片被击穿。
thanks for sharing

LUCK168168 · 发表于 2020-3-23 10:57:02

GATE 到DRAIN或SOURCE 的LEAKAGE变大是不是也算ESD ?

zhg_zhang · 发表于 2020-4-27 10:34:36

LUCK168168 发表于 2020-3-23 10:57
GATE 到DRAIN或SOURCE 的LEAKAGE变大是不是也算ESD ?

担心预防发生ESD所做的处理，是电流更均匀，避免ESD。

啓啟 · 发表于 2020-5-18 16:48:18

受教了

levin.lg · 发表于 2020-6-15 13:59:01

Latch up can be caused by ESD.

sunecho · 发表于 2020-8-26 10:57:08

谢谢楼上的兄弟伙。

学电子的小r · 发表于 2020-9-16 21:50:44

ESD和相关的瞬变电压都会引起latch up

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