为什么不同电源域在levelshift 那里要加ESD保护器件？

prgsteven · 发表于 2014-10-27 11:47:03

全芯片的esd防护就要这样弄的，特别多电源域的，一般都会有电源对地，地对电源的保护，不能地之间要有背靠背二极管。levelshift里的不能地，是最容易出问题的地方。这块也要加esd保护电路才行。

treey · 发表于 2014-11-5 17:28:17

全芯片的esd防护就要这样弄的，特别多电源域的，一般都会有电源对地，地对电源的保护，不能地之间要有背靠背 ...
prgsteven 发表于 2014-10-27 11:47

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请问levelshift这块怎么加ESD保护啊？

lianaissmec · 发表于 2014-12-3 15:24:17

仔细看一下柯名道写的哪些文章就知道了

wyliuse · 发表于 2014-12-5 11:13:45

两边都加，因为ESD的方向是随意的。

wbautumn · 发表于 2015-3-16 16:41:38

对IO中的clamping作用一直很模糊，这下清楚多了。学习了

albertyin · 发表于 2015-3-19 13:15:34

ESD泄放电流应该走IO的保护器件.
对于HBM/MM模式来讲, 芯片内部(core)数模接口位置应该不发生ESD放电行为.
CDM模式下, 芯片内部(core)电源/地之间应该有二极管保护, 内部(core)不同电源域之间加ESD保护器件没有那么必要, 因为尺寸很小, 如果真的过大电流的情形发生, 这个保护器件很容易损坏.

pennyxm · 发表于 2015-11-8 22:50:01

只有看的分了，谢谢

changz100 · 发表于 2016-5-20 18:20:05

学习中

sunnyliu · 发表于 2016-8-5 18:14:39

存在不同电源域的ESD时，由于可能存在VDDH》高压PMOS》低压gate》VSSL的通路，如果在lvl shift上没有ESD保护，低压的gate会由于高的电压而容易烧坏。

ewavesam · 发表于 2016-8-9 17:25:20

这个主要是考虑ESD里面的CDM模型

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