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楼主: 898spake

[求助] LOD效应和STI效应有什么区别

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发表于 2020-6-1 09:28:04 来自手机 | 显示全部楼层
谢谢楼主分享
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发表于 2020-6-7 22:03:33 | 显示全部楼层
一回事
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发表于 2020-8-17 16:01:25 | 显示全部楼层
学习了
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发表于 2020-9-3 17:21:48 | 显示全部楼层
学习了
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发表于 2020-11-19 19:32:54 | 显示全部楼层
get了,thanks
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发表于 2020-11-23 14:14:21 | 显示全部楼层
受教了
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发表于 2020-11-23 16:06:27 | 显示全部楼层
学习了
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发表于 2021-8-26 15:18:53 | 显示全部楼层


   
sltu02 发表于 2014-4-14 01:04
二者都是指同一件事...STI對silicon產生stress,改變了器件的晶格長度,使得VT和IDS在OD很小時會有與OD較大 ...


所这个OD是源漏到栅之间的距离吗?


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发表于 2023-3-14 16:01:18 | 显示全部楼层
都是一个东西
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发表于 2023-3-26 14:44:41 | 显示全部楼层
请问场氧具体是指那一部分结构
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