Invensense的关键工艺

kofkoy2000 · 发表于 2013-11-26 22:34:22

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资料共享里有Invensense的论文可以参考，其关键工艺有两项：一是晶圆级的真空封装工艺；二是陀螺仪的设计。
这里主要讨论晶圆级真空封装。
Invensense采用的是Ge—Al共晶键合工艺。在MEMS的硅片上生长Ge薄膜，在电路衬底上生长Al，两者键合。这个工艺与CMOS工艺基本兼容。
Ge-Al的共晶温度在417摄氏度附近，这个温度对电路的影响可以忍受，并不会使电路的性能发生非常剧烈的变化。且生长Ge和Al的成本很低，适合大规模生产。不像Au-Au键合，成本很高。难道这是Invensense成功的关键因素之一？
不知各位有什么意见？

kofkoy2000 · 发表于 2013-11-27 23:14:19

这算是Invensense成功的关键技术之一吗？

conradalf · 发表于 2014-4-1 15:35:01

回复 1# kofkoy2000

我認為量產成本與CMOS製成兼容性是成功的因素

kofkoy2000 · 发表于 2014-4-21 21:20:19

回复 3# conradalf
完全同意你的观点，不知道他是怎么说服台积电给他帮助的？

yuzhi · 发表于 2014-8-15 18:36:17

学习了

Joe_Long · 发表于 2017-11-14 13:30:49

回复 1# kofkoy2000

请问哪里有资料下载？
谢谢

rcliu1975 · 发表于 2017-12-25 22:52:26

回复 1# kofkoy2000

thank you.

kerry550 · 发表于 2020-7-21 20:39:57

资料呢？

1027830249 · 发表于 2020-12-20 21:28:44

学习了

samiedition · 发表于 2021-1-10 10:08:47

good job

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[原创] Invensense的关键工艺

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