cadence中用mos管做电容的问题

cp0807 · 发表于 2013-9-18 15:36:49

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在cadence中使用nmos管源漏短接做电容，这样的电容的大小是哪个参数呢
QQ图片20130918153819.jpg

china8894 · 发表于 2013-9-18 17:04:56

回复 1# cp0807

这个是看不了的，需要自己仿真，手算一下仿一下port

semico_ljj · 发表于 2013-9-18 21:40:59

用个激励电流看一下即可

cp0807 · 发表于 2013-9-21 17:22:40

回复 3# semico_ljj

加激励和电容仿了一下，发现这个的电容和Cgg是一样的

cp0807 · 发表于 2013-9-21 17:24:17

回复 2# china8894

好的，。谢谢

lnsduseu · 发表于 2013-9-22 15:12:28

觉着跑个DC，看Cgd 和Cgs参数就行了

duke2050 · 发表于 2013-9-23 09:07:13

回复 4# cp0807

加电流激励如何仿真MOS管电容？

chenkai_kk · 发表于 2013-9-23 14:14:43

cgg，正解

ksg12 · 发表于 2013-9-24 08:16:32

对于电容有I=C*dv/dt => C= I/(dv/dt). 是Cgg

duke2050 · 发表于 2013-9-24 08:31:44

回复 9# ksg12

了解了，谢谢

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