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楼主: dahuwei_

[资料] 历年JSSC上关于Bandgap Reference的文章

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发表于 2014-9-11 14:44:05 | 显示全部楼层
good !!!!!
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发表于 2014-10-7 22:02:59 | 显示全部楼层
顶顶顶顶顶顶顶顶顶顶顶顶顶顶
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发表于 2014-10-7 22:05:14 | 显示全部楼层
顶顶顶顶顶顶顶顶顶顶顶顶顶
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发表于 2014-10-8 21:15:46 | 显示全部楼层
非常感謝~~~~~~
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发表于 2014-10-21 11:52:12 | 显示全部楼层
thank for you give me the note data
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发表于 2014-10-21 11:52:46 | 显示全部楼层
ircuits such as bandgap references and may sub-
sequently lead to severe functional failures of the device.
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发表于 2014-10-21 11:53:06 | 显示全部楼层
In p-substrate-based Bipolar–CMOS–DMOS (BCD) tech-
nologies, driving a drain of a DMOS transistor below the
substrate potential results in the injection of electrons, i.e., mi-
nority carriers, into the substrate. Due to long minority-carrier
lifetime, they can diffuse laterally over significant distances and
reach regions of the chip far away from the source of injection.
There, they can be collected by an arbitrary reverse-biased
n-region which could be part of a device in a sensitive circuit
[1]. The situation can be depicted as in Fig.
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发表于 2014-10-21 13:12:28 | 显示全部楼层
Due to the relatively high input capacitance (compared to
other  analog  to  digital  converter  architectures),  SAR  ADC's
maximum speed is dominated by sampling time of the sample
and  hold  stage.  The  second  limiting  factor  is  comparator
decision, as small differences in input voltage, namely less than
1 LSB, must be resolved within one clock period.
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发表于 2014-12-5 11:46:44 | 显示全部楼层
Bandgap Reference
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发表于 2014-12-12 22:19:48 | 显示全部楼层
太好了
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