东芝推出导通电阻仅1.9mΩ、可在175℃工作的车载设备用功率MOSFET

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东芝推出导通电阻仅1.9mΩ、可在175℃工作的车载设备用功率MOSFET
东芝于2013年1月15日宣布，开始销售可确保在175℃条件下工作的车载设备用功率MOSFET“TK80A04K3L”。这是一款耐压为＋40V的 n通道产品，是该公司功率MOSFET系列“U-MOS IV”的新成员。除车载电子设备外，还可用于工业电子设备和消费类电子产品等的马达驱动电路和开关稳压器。
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       TK80A04K3L的最大漏电流为80A，最大栅源极间电压为±20V，栅极的阈值电压为＋2.0～3.0V，栅极漏电流只 有±10μA（最大值）。导通电阻方面，栅源极间电压为＋10V时为1.9mΩ（标称值），栅源极间电压为＋6V时为2.3mΩ（标称值）。总栅极电荷为 190nC（标称值）。输入容量为9400pF（标称值），输出容量为1900pF（标称值）。源漏极间的二极管正向电压为－1.2V（最大值）。反向恢 复时间为64ns（标称值），反向恢复容量为48nC（标称值）。

       新产品采用独立封装TO-220SIS。通道与周围环境间的热阻为62.5℃/W（最大值）。价格未公布。（特约撰稿人：山下 胜己）

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东芝技术还是牛