关于开关电容中的沟道电荷注入效应，有一个问题请教各位！

xljin2008 · 发表于 2012-12-26 10:38:25

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

×

在如图所示的采样电路中，书上都会提到沟道注入效应，即MOS管由闭合变为关断时，沟道的电荷会注入到Ch和Vin. 我的问题是：与沟道电荷相对应的应该是MOS管栅极上的反向电荷，所以当MOS管关断时，沟道中的电荷应该经由硅体、外电路（如连接硅体和栅的电源）与栅上的电荷中和，而不是注入到Ch和Vin。这就是我的问题，请教各位了！

lwjee · 发表于 2012-12-26 13:45:48

中间是绝缘的。还有CGS等存储的电荷。

xljin2008 · 发表于 2012-12-26 16:57:53

MOS管闭合时，栅为高电平，中间有绝缘层。但是当MOS管关断时，绝缘层会消失，形成栅--沟道电容的放电回路。

tangyuxiang · 发表于 2017-2-21 16:15:12

学习了,谢谢!

liuzhihuafl · 发表于 2017-2-21 19:37:02

先学学半导体物理基础

122013137 · 发表于 2017-2-21 22:52:37

当MOS管关断时，沟道中的电荷应该经由硅体、外电路（如连接硅体和栅的电源）与栅上的电荷中和，而不是注入到Ch和Vina

账号		自动登录	找回密码
密码			注册

[求助] 关于开关电容中的沟道电荷注入效应，有一个问题请教各位！

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

相关帖子

浏览过的版块