哪种结构的Capless型LDO更实用？

范修荣

capless LDO想要改善瞬态响应，一般是比较困难的，以下是一些可思考的方案:
1、输出挂大电容，百pF甚至nF，但受限于diesize成本
2、提高LDO带宽（增加尾电流，如果需要低功耗设计可以考虑动态偏置，或者自适应偏置，但受限于次级点位置，补偿需要仔细设计）
3、提高调整管栅极的压摆率，可以采用摆率增强电路或者带驱动能力的推挽buffer，摆脱尾电流对摆率限制，相应补偿也需要仔细设计
4、使用高通滤波器，或者高速比较器，额外调整调整管栅压，需考虑多环路问题和PVT问题
5、使用开环设计，例如NMOS1源极输出，驱动调整管NMOS2栅极，但DC精度较差
但总的来说，业界使用的架构是符合简单，鲁棒性较强等特点，论文中较为复杂的方案，可行性个人觉得有待商榷

goyuqinghua

高压的FVF架构看起来不行，vin>20V

bomb

我就想知道为什么一个问题能讨论13年

z1293053926

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