为什么两级运放第一级输入对管用PMOS更好？

s2is · 发表于 2012-11-13 18:09:41

第一次知道还有这个的。设计时没怎么考虑

weidianwj · 发表于 2012-11-15 15:18:20

回复 9# selfsalvation04

ken martin的书里讲运放的那一章说的，你在论坛上一搜就有

waterkingdom · 发表于 2012-11-15 20:00:39

因为PMOS用的是独立的Nwell，比nmos管的vth更加稳定。衬底效应轻。

selfsalvation04 · 发表于 2012-11-18 00:06:22

回复 12# weidianwj

好的，谢谢啦

lishiliang · 发表于 2012-11-29 13:12:39

因为PMOS用的是独立的Nwell，比nmos管的vth更加稳定。衬底效应轻。
waterkingdom 发表于 2012-11-15 20:00

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同意~~~采用N阱工艺，所有NMOS共用一个衬底，接在系统最低电位，PMOS可以做在各自的阱里，当然也可以做在同一个N阱里，这就允许将PMOS管的body和Source连在一起，减小/消除衬底偏压效应，稳定阈值电压Vth。特别是对差分输入对管进行处理，会好点。

暴君 · 发表于 2012-11-29 14:52:19

同意太阳君~不过输入极用NorP首要看你前级的直流电平吧~其次考虑匹配和噪声~SR GBW Power都是最后折衷的~还有就是差分输入级GR都要打两圈(多子+少子)~所以Vth都要做到稳定才敢用~

xyyyhtld0 · 发表于 2012-12-2 21:35:46

学习学习！

fanshuangfbi · 发表于 2012-12-2 22:52:55

必须顶起！！！

microstudent · 发表于 2012-12-3 20:49:41

我用p管做输入对的考虑就是 1/f 噪音会小一些

mekenny · 发表于 2012-12-3 23:20:55

能否从noise的角度理解？

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