在线咨询 切换到宽版
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网

 找回密码
 注册

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

搜帖子
查看: 2980|回复: 5

[讨论] vco中pmos电流镜沟道长度900n,对于cmos0.18工艺会不会太大了?

[复制链接]
发表于 2012-7-7 18:45:41 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

×
rt,vco中pmos电流镜沟道长度900n,对于cmos0.18工艺会不会太大了?
发表于 2012-7-7 22:22:40 | 显示全部楼层
还好,不算大
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2012-7-8 07:49:52 | 显示全部楼层
这得根据你VCO的工作频率而定了,如果在你工作频率范围内的话,L取值大可以降低沟道长度调制效应的影响。
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2012-7-8 08:51:50 | 显示全部楼层
没有特定,看功耗和Freq
回复 支持 反对

使用道具 举报

 楼主| 发表于 2012-7-9 19:00:32 | 显示全部楼层
回复 3# xiangjiang001


    我的工作频率是24GHz,不知道L=900n,会不会太大了
回复 支持 反对

使用道具 举报

 楼主| 发表于 2012-7-9 19:01:41 | 显示全部楼层
回复 4# semico_ljj


    频率是24GHz,不知道L=900n,会不会太大了
回复 支持 反对

使用道具 举报

您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条

手机版| 小黑屋| 关于我们| 联系我们| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2025-7-10 18:27 , Processed in 0.107595 second(s), 8 queries , Gzip On, MemCached On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表