RF Micro Devices加快RF功率管理方面的技术改进

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日前，高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者RFMicroDevices,Inc.（Nasdaq股市代号：RFMD）宣布，其将继续努力，实现RF功率管理性能方面改进的新里程碑。RFMicroDevices正在开发基于平均功率跟踪-(APT-)和包膜跟踪-(ET-)的解决方案，这些解决方案将利用RFMD在功率放大器、RF功率管理和复合半导体方面的领导地位来实现有突破性的性能。

    RFMD是RF功率管理方面的领导者，目前已销售出数千万个电源管理集成电路(PMIC)，其中大部分在RFMD的革命性PowerSmart®功率平台上的RFConfigurablePowerCore™架构内。RFMD也是RF功率控制方面的先驱，目前已销售出几亿个具有集成功率控制功能的功率放大器（RFMD的PowerStar®功率放大器和发射模块）。RFMD预计，包膜跟踪技术与RFMD的超级砷化镓器件及技术的结合是一个颠覆性的整合，将大大提高RF性能的标准。

    RFMD蜂窝产品组(CPG)总裁EricCreviston说：“RFMD在RF功率管理的技术研发方面处于领先地位。我们热衷于实现基于APT和ET的解决方案。我们相信，功率管理技术（如平均功率跟踪和包膜跟踪）在智能手机中的重要性将不断提升，这将使RFMD能够充分利用我们在功率放大器和RF功率管理方面的综合领导地位、并增加扩展我们RF产品份量的机会。”

    关于RFMD

    RFMicroDevices,Inc.（NasdaqGS股市代号：RFMD）是高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者。RFMD实现全球移动性，提供加强的连接性，支持蜂窝手持设备、无线基础设施、无线本地局域网(WLAN)、CATV/宽频以及航空和国防应用的先进功能。RFMD半导体技术多样化产品组合以及RF系统专业技术享有业界知名度，是全球顶尖移动设备、客户终端设备以及通信设备提供商中的首选供应商。