会工艺文件的，或者做过standard cell的大侠们请指教！！

kylejoe · 发表于 2012-2-21 22:54:09

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导师让我作数字单元库，快到一个月了，一个都没好还，快崩溃了。。。请牛人指点一二！！不胜感激！！
具体情况是这样，用的是TSMC18rf的PDK+ TSMC 0.18μm Process Low-Power 1.8-Volt SAGE-X TM Standard Cell Library（用作参考）。我现在具体的做法是这样的
1、将参考库的lef导入，在dump出一套工艺文件，但这套工艺文件包含了tsmc18rf.tf的内容，很多都跟数字库无关甚至冲突。
2、按照参考库画完layout，区别在于mos管直接用的pdk里面的pmos2v , nmos2v。
3、abstract generate 打开自己做的库，按部就班 pins、extract、Abstract、verify。
现在问题出来了，且不说前三个步骤因为工艺文件不对就折腾了好久，终于勉强没错误了（警告暂时不理），verify又是警告错误一大通。。。大多是工艺文件不对。似乎这工艺文件还非得自己重头到尾该一边，我汗。。。。
各位做过standard cell的大侠，请告诉我此路到底可行否？能否搞到一份合法的工艺文件？有没更可行的办法？

tb0403 · 发表于 2012-2-21 23:03:37

我同事做过，我在旁边打酱油了（因为我刚入职），明天我去请教下？

一目了然 · 发表于 2012-2-21 23:33:27

其实用不着verify这个步骤
在abstract完了以后直接export lef就可以了

然后你再打开你的std.lef检查有啥问题就行了

zhuyujun · 发表于 2012-2-22 09:13:23

同意楼上看法！

taoli_ic · 发表于 2012-2-22 09:22:37

要避免Tech file的问题，我觉得如果比较简单的话,你可以试试看
1. 在你的virtuoso library中，先把你做好的cell导出GDS文件，注意layer mapping
2. 用标准的Tech LEF导入abstract，产生一个library
3. 把GDS 导入到abstract的library中
4. 根据标准的流程，做pin，extract, abstract, dump LEF

kylejoe · 发表于 2012-2-22 10:41:30

首先，感谢3楼一目了然的建议，直接看lef 文件确实能大致验证，但不敢盲下结论啊！
5楼的做法真是独出心裁，我怎么没想到呢？赶紧试试。。谢谢了！！！

kylejoe · 发表于 2012-2-22 10:42:47

首先，感谢3楼一目了然的建议，直接看lef 文件确实能大致验证，但不敢盲下结论啊！
5楼的做法真是独出心裁，我怎么没想到呢？赶紧试试。。谢谢了！！！

kylejoe · 发表于 2012-2-22 13:54:00

回复 5# taoli_ic

为什么TSMC的扩区部分PDIFF和NDIFF，而是统一用DIFF表示？？还有，PIMP和NIMP这两层起什么作用？？由于用了tsmcrf PDK里面的两个mos管，现在作map不知道到底要映射那几层？还请大侠再指点以下?

1249068807 · 发表于 2012-3-29 23:14:25

感谢你啊

wlyj000 · 发表于 2012-3-30 00:01:30

标准单元库还可以自己做啊？一直以为都是从厂家得来的呢.看来对后端还没入门啊

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