关于同步bulk型DCDC, lowside NMOS管的控制问题

seedcloud

各位大虾:
     请问一下你们设计同步bulk型DCDC, lowside NMOS管的时序时,都要考虑哪些因素呢?

     是highside PMOS关断后,lowside NMOS经过一定dead time后无条件导通; 还是highside PMOS关断后,再确定SW端低于GND后(就是再加一个比较模块)再导通. 这两者有什么优缺点吗?

     再一个过零比较时,是采用电平形式控制NMOS的关断;还是边沿模式控制NMOS的关断,这两者又有什么优缺点呢?

     我采用的是 highside PMOS关断后,lowside NMOS经过一定dead time后无条件导通,及边沿模式控制NMOS的关断. 流片后发现部分芯片无法进burst模式,正在考虑这些原因.   

     欢迎大家交流,谢谢.

loopgain

后者好。也叫自适应dead time方式。导致dead time最小。

seedcloud

不过后一种方法经常会导致dead time过长的啊，因为比较器需要一定时间响应，而一般dead time也就设置在20ns左右。

另外过零比较是采用哪种方式呢？

loopgain

不一定需要比较器啊

magicdog

   

不过后一种方法经常会导致dead time过长的啊，因为比较器需要一定时间响应，而一般dead time也就设置在20ns ...
seedcloud 发表于 2011-12-13 14:38

                               
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    过零是指critical discontinue conduction mode吗？
一般变频控制还是用on-shot比较多一些

loopgain

不是。
指反向电流检测

seedcloud

"是highside PMOS关断后,lowside NMOS经过一定dead time后无条件导通; 还是highside PMOS关断后,再确定SW端低于GND后(就是再加一个比较模块)再导通. 这两者有什么优缺点吗?"

   这后一种方法就需要一个比较模块来确定“SW端低于GND”这个事件啊。

Chilton

回复 1# seedcloud

Fixed deadtime: design is simpler, but efficiency is usually low because your synchronous switch does not necessary turn-on at the right time. Actually, it almost never turns on at the right time. When synchronous switch doesn't turn-on at the right time, either you have shoot-through current (deadtime too short) or current through body diode (which usually is sloppy) (deadtime too long).

Adaptive deadtime control: design is very challenging, to be specific, the zero-cross comparator design is not easy. You need a fast (therefore small-sized) comparator with very low offset (mV range) and the offset voltage itself can not change with temperature. This is the usual challenge for real circuit design.

seedcloud

to Chilton:
        照这么说low offset高速比较器的设计是关键。那这个特征是现在的主流设计吗？它一般能提高几个点的效率呢？

pengxiang2011

dingding    学习中