ClassAB输出级跨导问题

goodsilicon

   

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    我是这么考虑的：假设整个OPA为两级，第一级为放大级，第二级为输出驱动级，且 ...
helionacar 发表于 2011-10-27 19:10

                               
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    主极点不在gm1/Cc，GBW在gm1/Cc。稳定的意思是非主极点离GBW有一定距离，比如2倍到3倍。

你的问题要具体问题具体分析，比如负载电容多大，GBW要求多宽。

不能因为静态时gm不够大就不用它计算稳定性。

天行有常，不以尧存，不以桀亡。。。

goodsilicon

   

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你的认识是错的。首先 cl小的话，主极点是正比于1/（gm2*Cc），次级点正比于gm2*Cc
其 ...
Evanpeng 发表于 2011-10-28 08:07

                               
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    临帖涕零，不知所言。。。

helionacar

回复 11# goodsilicon


    哦，你这么一说我一下就清楚了，确实gm1/Cc应该是GBW不是主极点，另外我可不可以这么理解：稳定性实际上可以作为设计输出级的限制条件之一，因为如果静态电流如果取得很小，虽然可能满足其他诸如摆率之类的指标，但是可能造成系统不稳定。不知道这么理解对吗？
    PS：非常非常感谢goodsilicon君，每次你的回答都让我受益匪浅，goodsilicon君的模拟电路知识相当扎实啊。

goodsilicon

   

回复  goodsilicon


    哦，你这么一说我一下就清楚了，确实gm1/Cc应该是GBW不是主极点，另外我可不可 ...
helionacar 发表于 2011-10-28 10:10

                               
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你的理解应该是对的。

helionacar

回复 14# goodsilicon


   再次感谢，帮我解决了这个问题

lucia_wan

goodsilicon，有关AB类输出级的增益我一直有个疑问，希望不吝赐教。
从运放的输入到输出OUTPUT的点AB类一直有两条通路，一条是通过PMOS管的路径，一条是通过NMOS管的路径。因此计算从输入到输出的增益的时候我认为应该是两者的gm*Rout的叠加。但是我发现仿真的时候不是如此。
比如当输出偏向一边的时候，以输出偏高为例，那么NMOS的导通很强，而PMOS很弱，那么仿真得到的增益特性比NMOS管的gm*Rout计算得到的要小，比PMOS计算得到的要大。
当OUTPUT在VCOM的时候，也没法得到总体的增益是两者相加的结果。

这个是怎么理解的呢？

goodsilicon

回复 16# lucia_wan


    goodsilicon，有关AB类输出级的增益我一直有个疑问，希望不吝赐教。
从运放的输入到输出OUTPUT的点AB类一直有两条通路，一条是通过PMOS管的路径，一条是通过NMOS管的路径。因此计算从输入到输出的增益的时候我认为应该是两者的gm*Rout的叠加。但是我发现仿真的时候不是如此。
比如当输出偏向一边的时候，以输出偏高为例，那么NMOS的导通很强，而PMOS很弱，那么仿真得到的增益特性比NMOS管的gm*Rout计算得到的要小，比PMOS计算得到的要大。
当OUTPUT在VCOM的时候，也没法得到总体的增益是两者相加的结果。

这个是怎么理解的呢？
＝＝＝

我想静态（小信号）时，应该是两条路径增益的叠加，不知道具体的仿真是怎样做的。大信号时，管子已经不在饱和区，而是处于线性或截止区，用小信号的gm*Rout应该没有什么意义了。

afujian

学习了！

ralphtw

how to design /!~

xd_HR

考虑补偿和驱动能力对电流的要求，取其中较大的电流，然后根据电流求解W/L，继而求得GM