mom电容值的提取和测试

fuyibin · 发表于 2011-10-12 13:58:42

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你仿照着库里的电容自己画一个，然后calibre一下，你会发现和库里的电容差数量级的~
lintao2317 发表于 2011-10-12 12:33

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我抽过,没发现差这么多,呵呵

lintao2317 · 发表于 2011-10-12 14:54:36

回复 11# fuyibin

大神啊，怎么测量的？给个详细点的流程呗

？我如果在一个器件的后面挂一个电容的话，LVS不过

，如果原理图加上这个电容的话，提取出来的寄生根本不包括这个电容

。你是怎么做的呢

？

fuyibin · 发表于 2011-10-12 17:23:14

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大神啊，怎么测量的？给个详细点的流程呗？我如果在一个器件的后面挂一个电容的话，LV ...
lintao2317 发表于 2011-10-12 14:54

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呵呵，这个不是挺容易的啊
首先做LVS/PEX肯定是要有电路和netlist的，要不都跑不起来
那么就用最简单的器件，比如电阻，版图上接在你画的MOM cap两头，这个cap是寄生，在电路中不需要
然后只extract C+CC就能看到两个电阻节点的CC，就是你的MOM cap了
不过有时候因为 extract rules肯定没有foundry提供的model精确，曾经抽出parasitic cap是model 3倍，哈哈

lintao2317 · 发表于 2011-10-12 17:46:17

回复 13# fuyibin

我最初也是这么干的，但是LVS的时候不过，提示说版图和原理图器件数目不符合啊。

然后，我尝试把MOM电容的标示层（MOMDMY，不知道是否真的只是简单的标示而没有任何物理意义），再跑PEX的时候，LVS能过了，但是提取出来的电容基本上扩大了6倍左右

--->

---->

你是怎么做到通过LVS验证的呢？

fuyibin · 发表于 2011-10-13 00:35:59

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我最初也是这么干的，但是LVS的时候不过，提示说版图和原理图器件数目不符合啊。
...
lintao2317 发表于 2011-10-12 17:46

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当然要把MOM cap flatten了，不所有CAD layer都删掉，只剩metal
作LVS 只把这些当作连线而不是device，sechmatic里面也不用画这个parasitic device，LVS 就会过
至于你extract出6倍，可能是用的rule的问题
tsmc的也会有问题，不能用LVS rule开 option，而要一个专门的pex rule
反正我试过好几个，结果不一样的

gaojun927 · 发表于 2011-10-13 13:07:47

差6倍？差数量级？没这么夸张吧。以前经常用自己的mom电容，要这么不准，电路不知道跑哪里去了。

gaojun927 · 发表于 2011-10-13 13:11:25

做的时候有两种方法。一是自己加标示层，把mom当标准器件提，这涉及自己写些rule，但是好处是电路不用改，foundry都这么做。另一种是把mom当寄生，但是lvs时需要屏蔽自己网表中的cap，做后仿同样。

lintao2317 · 发表于 2011-10-13 23:40:29

回复 15# fuyibin

自己写pex rule

，根本不会，45度角仰视中。我用的是smic 65nm，伤不起啊。谢谢你耐心的指导。

lintao2317 · 发表于 2011-10-13 23:54:38

回复 17# gaojun927

明天回实验室尝试自己修改rule，但是有个问题，自己写rule的话，需要提前知道自己画的小电容的值吗？能给个流程或者您修改过的rule吗？感激不尽。我用的基本上就是您说的第二种方法，但是不知道是不是工艺的原因，提取出来的值就是很夸张。因为smic65nm工艺库里只给了mom电容，并且最小还是30fF，根本n不能用来做sar adc，所以尝试自己做小电容。希望您能帮忙指导一下如何写rule。

lintao2317 · 发表于 2011-10-14 13:36:01

回复 16# gaojun927

大神还在吗？

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