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发表于 2011-8-10 21:55:28
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cell的delay取决于电子迁移率,而迁移率一般取决于平均自由程序,平均自由程一般取决于散射几率,散射概率越大,平均自由程就越小,则电子迁移率也就越小.且,对于掺杂的硅半导体,主要有声学波散射和电离杂质散射,在掺杂浓度不高的情况下,电离散射可以忽略,则声学波散射为主体,而声学波散射几率随温度升高而快速升高,则散射几率大,则电子迁移率变小,则delay变大.则为setup方面出现问题,则需要降频率.
而温度下降的时候,性能下降的话,一般是hold出问题了,则需要降低VDD去改良 |
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