有源区与扩散区的区别

hunk4321 · 发表于 2012-5-31 23:23:31

20楼正解，个人觉得Active这层是为做LOCOS用的，做好LOCOS后再注入离子，之所以NP、PP要包Active，就是为了能更好、全部地向Active区域注入离子。
NP AND Active=Ndiff
PP AND Active=Pdiff

luqcheng · 发表于 2012-6-1 10:45:13

只有有active的区域你的NP注入才有效，其他地方被厚厚的场氧阻隔，注入不进去
虽然版图上画有，实际上是无效的
之所以要画大，就是为了防止光刻对准的误差
想想你的dummy，有点那意思

sudezhao · 发表于 2012-6-2 10:39:51

我的理解是active区是要去除原来的厚场氧而长薄栅氧的区域，imp区是做S/D区用的

lixiaojun707 · 发表于 2012-6-4 16:46:01

active 又叫diff ，又叫thin oxide，它对应于场氧，比较薄，目的是inp 扩散后足够薄的active的地方能有形成 ...
L_ju 发表于 2011-8-9 17:44

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四楼以及其他人回复的都有道理

有源区active，其实是起一个开窗口的作用。在工艺中器件生成时，先用active的mask，在厚氧区域开一个窗口（有源区），这个窗口有两个作用：
1. 去掉窗口内的厚氧，在窗口内生成薄的氧化层(栅氧)
2.后续，使用注入imp mask，在窗口内注入不同的离子，以便形成N管、P管（N型P型离子）、不同阈值的管子。

这样看来，这如其他人的回复有源区active和扩散区imp，其实可以理解为and的关系！

lixiaojun707

zhanqing1215 · 发表于 2012-6-4 17:18:52

扩散区属于有源区的一部分,这样就好理解了,你上面的说的也没错的

寻觅冷清 · 发表于 2012-6-14 10:48:49

受教了！

qinsi · 发表于 2012-6-25 15:17:27

回复 24# lixiaojun707

想问下是先做好栅氧然后才注入吗？这样的话在注入时岂不是要在栅氧中引入缺陷？

110511 · 发表于 2012-7-9 17:04:05

期待楼上的答案

mclsun · 发表于 2013-2-27 11:04:54

四楼以及其他人回复的都有道理

有源区active，其实是起一个开窗口的作用。在工艺中器件生成时， ...
lixiaojun707 发表于 2012-6-4 16:46

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围观大师级回答~学习学习，今天看老外的书上面提到了

173660575 · 发表于 2013-3-25 23:42:36

大侠们说的很详细

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