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[讨论] 1/f噪声 的两种模型

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发表于 2011-7-27 12:16:18 | 显示全部楼层 |阅读模式

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spice 中 1/f 噪声有两种模型,一种用kf,ef,af等参数表示,另外一种用noia,noib,noic 等表示。请问那一种的模型精确。我用代工厂的工艺,里面的低压管子的1/f用第一种模型,12V的高压管用第二种模型。基准电路中的PMOS管用低压管时,仿真出来的噪声,比用高压PMOS管仿真出来 的噪声要高的多。我本意为低压管的1/f 要比高压的1/f 噪声低,但是事实相反。不知道是模型的问题,还是事实就是这样?给位能否给点意见?
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