天线效应二极管的作用

huntzxs

MOS gate上会因为天线效应收集电荷，在制造过程中会击穿Gate，因此往往增加一个方向二极管到衬底（方向二级管不会影响MOS管的工作），如果Gate上出现正电荷，通过二极管的反向漏电，实现泄放，如果是负电荷，二极管直接就泄放掉了。。。

ericking0

回复 7# fuyibin


    又不是ion implant，后面的PECVD也好，etch制程也好，都是有plasma参与的。

kinglij

11楼说的有道理哦

gy118

回复 11# huntzxs


    我之前也这样认为，但是很多地方都会说积累电荷后，电压会上升，所以就疑惑了

goodsilicon

   

MOS gate上会因为天线效应收集电荷，在制造过程中会击穿Gate，因此往往增加一个方向二极管到衬底（方向二级 ...
huntzxs 发表于 2011-6-28 14:46

                               
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    问题是：这个二极管的反向击穿电压是多少呢？如果是0.13um及以下的工艺，MOS管的栅极电压又能承受多少而不被击穿呢？

Froc

回复 11# huntzxs


  有道理，，，

mikeppq

回复 15# goodsilicon


   二极管的击穿一般都低于gate的击穿电压。以5V工艺为例，二极管击穿在6~7V，gate的击穿在10V~13V

蓝风紫心

回复 11# huntzxs

这里有点疑问，首先，击穿，我个人觉得不是GATE的击穿，二是gate oxide的击穿。也许你的意思就是gate oxide 击穿。其次，gate 上出现
大的正电荷的时候，利用的是反向二极管的击穿，而不是二极管的反向漏电，其实也就是雪崩击穿。
针对这个问题，可以参考模拟版图艺术这本书“

对于厚氧工艺，往往选用NSD/P型外延层泄露器。这种结构本质上是一个阴极连接金属节点，阳极连接衬底的二极管。如果节点电位降到衬底电位以下，则泄露器正向导通，并箝住电压，如果节点电位上升超过衬底电位，则NSD/P型外延层会先于厚氧损坏前发生雪崩击穿。

”
一般情况下，工艺中的，二极管的击穿一般都低于gate oxide的击穿电压。以5V工艺为例，二极管击穿在6~7V，gate  oxide的击穿在10V~13V