GaN HEMT Sentaurus 仿真

mkhhr · 发表于 2011-5-6 20:12:50

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在Sentaurus中，仿真GaN HEMT 的击穿特性，但总是不收敛，这是什么原因，有没有GaN HEMT击穿的例子？

wanghds · 发表于 2011-5-9 16:57:10

是一开始就不收敛还是电压加到一定程度后不收敛？

row_1234 · 发表于 2011-5-11 22:38:34

通常大部分不收敛的情况是因为模型的选取或格点的位置选择不适合造成的

mkhhr · 发表于 2011-5-16 18:38:19

回复 2# wanghds

是电压加到一定值之后开始不收敛的

mkhhr · 发表于 2011-5-16 18:39:29

回复 3# row_1234

那么GaN 仿击穿的时候应该加些什么模型呢

123166291 · 发表于 2011-5-24 15:45:56

回复 1# mkhhr
你要是想靠这个毕业，劝你换个研究方向，做SiC仿真都比GaN强

amashimaro · 发表于 2011-5-30 22:13:14

回复 6# 123166291
悲剧啊，我就是要靠这玩意毕业的

准静态仿击穿我没见过击穿后一直收敛的情况，瞬态还是不收敛的话加大电阻试试，10次方以上数量级的

xidianaw · 发表于 2011-6-14 15:24:09

可能是你model定义有误，或者是method定义有误。

ymchow · 发表于 2011-10-24 23:40:25

thanks for sharing

duanxindong · 发表于 2016-4-20 13:11:56

这种仿真只能是参考吧？

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