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EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › 后端设计 › 后端资料区 › GGNMOS（grounded-gate NMOS）ESD保护结构原理说明 ...
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楼主: icbbs

[资料] GGNMOS（grounded-gate NMOS）ESD保护结构原理说明

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发表于 2018-9-11 11:02:09 | 显示全部楼层
先顶了再说
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yingzl
发表于 2019-1-17 21:23:52 | 显示全部楼层
学习了，谢谢分享
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发表于 2019-3-22 10:05:33 | 显示全部楼层
谢谢分享
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haobx
发表于 2019-4-25 09:00:28 来自手机 | 显示全部楼层
eetop
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samgu
发表于 2019-7-14 19:50:34 | 显示全部楼层
thank thank
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发表于 2019-8-25 15:50:19 | 显示全部楼层
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发表于 2019-8-30 10:20:45 | 显示全部楼层
资料不错，谢谢
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发表于 2019-9-27 14:28:40 | 显示全部楼层
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发表于 2020-7-2 11:32:44 | 显示全部楼层
多谢，说的比较详细
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发表于 2020-7-9 17:28:19 | 显示全部楼层
感谢楼主分享！
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