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[讨论] 用弱反型区设计LDO,设计方法?

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发表于 2010-10-29 13:09:05 | 显示全部楼层 |阅读模式

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用弱反型区设计LDO,设计方法?
Vth电压设置为多少?
 楼主| 发表于 2010-11-4 12:43:58 | 显示全部楼层
怎么没人回帖?
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发表于 2011-10-17 11:17:55 | 显示全部楼层
降低电流,降低功耗的话,model知否准确? vth无法改变,而是vgs。整片wafer良率会低一些
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发表于 2011-10-31 12:33:48 | 显示全部楼层
Which device you want to bias into weak inversion? I doubt anybody would liket to bias his pass element of an LDO into weak inversion due to the high output impedance of the device.
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