|
马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。
您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册
×
本帖最后由 zzuwy 于 2010-10-26 21:37 编辑
如题,我们流片测试出的整流效率只有百分之十几,而TT下仿真得到的效率有百分之三十多,FF,SS下最低也有百分之二十多。请问这是什么原因?
PS: 以上所说的整流电路用的是NMOS管。采用肖特基的要好一点,但是也远远低于仿真值。
我们的测试方法: 采用信号发生器发射915MHz连续波作为信号源, 通过频谱仪定标信号发生器的实际输出功率,整流电路的负载为外接电阻,将矢量网络分析仪的发射功率 调整为与信号发生器的实际输出功率一致测试芯片的电压反射系数Γ,根据公式 可得出实际输入芯片功率 。则整流效率可由输出功率除以实际输入功率得出。
是否我们的测试方法有问题,或是其他什么原因?请高手指点一下 |
|