MOS管的特征频率随沟道长度和过驱动电压的变化关系？

ws_hyk · 发表于 2010-9-25 20:09:47

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请教：MOS管的特征频率随沟道长度和过驱动电压的变化关系？
哪位高手定性分析一下！
先谢！！

qiwentuo · 发表于 2010-9-25 23:03:02

回复 1# ws_hyk

它主要由栅极电容Cg来决定。由简化的小信号高频等效电路可以给出有ft = gm / 2πCg = 1 / 2π τ，即ft决定于栅极下载流子的渡越时间τ。
　　对于长沟道(μ为常数) 的器件：τ = L /μEy ≈ L2 /μVds，则ft = μ Vds / 2πL ；对于短沟道(漂移速度饱和为vs) 的器件：τ = L / vsL ，则ft = vs L / 2πL。反比
　　若再计入寄生电容CL , 则截止频率为 ft = gm / [2π（Cg+CL )] = (1 / 2 π τ) [1 + ( CL / Cg )]-1 。
　　提高场效应晶体管ft的措施：增大跨导gm、减小栅电容Cg、减短沟长L、增大迁移率μ或饱和漂移速度vs。

fuyibin · 发表于 2010-9-26 09:37:34

请教：MOS管的特征频率随沟道长度和过驱动电压的变化关系？
哪位高手定性分析一下！
先谢！！
ws_hyk 发表于 2010-9-25 20:09

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说白了就是让device更快，那就减小L，增加Vgs

ws_hyk · 发表于 2010-9-26 12:06:27

回复 2# qiwentuo

很感谢！！

ws_hyk · 发表于 2010-9-26 12:12:16

回复 3# fuyibin

够精辟！！

fangtaocome · 发表于 2014-11-6 10:58:03

回复 3# fuyibin

正解 fT正比于过驱动电压，与L的平方成反比

Luxuchang · 发表于 2015-2-9 10:54:32

回复 3# fuyibin

L减小了，Vgs也是减小啊

fuyibin · 发表于 2015-2-10 08:24:54

回复 fuyibin

L减小了，Vgs也是减小啊
Luxuchang 发表于 2015-2-9 10:54

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need more power to get additional speed

semico_ljj · 发表于 2015-2-10 09:41:39

很不错。

Luxuchang · 发表于 2015-2-10 17:30:16

回复 6# fangtaocome

有没有相关公式啊，请您列出来观摩观摩！

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