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楼主: needforspeed

一个简单的工艺问题

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发表于 2006-11-4 23:04:16 | 显示全部楼层
应该是指电源电压吧,一看感觉就是跟线宽相关的节点电源电压,再小一点就是1.8V,1.5V,0.9V的NMOS,PMOS
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发表于 2007-6-11 23:46:20 | 显示全部楼层
我的理解是源漏电压
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发表于 2007-6-13 03:49:31 | 显示全部楼层


   
原帖由 savageasic 于 2006-11-4 11:23 发表
40V应该指的是与低压兼容的高压工艺,如用来做输出级的LDMOS器件等,我想是这样的,欢迎批评指正



同意楼上的说法,通常的说得3.3v,5V CMOS Trasisitor,其3.3v,5v指的是它的Vgs,由于其掺杂特性,它的Nwell/Pwell与其源漏区形成的PN结的反向击穿电压也是3.3V,所以也可以说Vds=3.3v.
而BCD工艺中,比如40V的NDMOS,其Vgs=3.3V,但是由于DMOS的制造方法不同,掺杂也不相同,其Vds可以达到40V. 即高压器件,但是其Vgs=3.3V,如果要改变Vgs,还需要改变栅氧化层厚度Tox才行。通常3.3V,Tox=70A。
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