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在半导体制造技术相关国际会议“2010 Symposium on VLSI Technology”开幕前一天举行的简短讲座(Short Course)“Emerging Logic and Memory Technologies for VLSI Implementation”上,在美国半导体制造技术战略联盟(Sematech)担任3D互联总监(Director 3D Interconnect)的Sitaram Arkalgud就以TSV(Through Silicon Via)为中心的三维连接技术(三维技术)的动向以及今后的发展作了演讲。演讲的题目是“Emerging Disruptive Scaling Options:3D Interconnects/Implications”。Arkalgud首先谈到:“以TSV为代表的三维技术,将成为今后保持半导体产业生产效率上升曲线的新的助推器”。这是因为,比仅依靠以“摩尔定律”为代表的二维进步,三维技术在LSI的高性能化及多功能化、低耗电化以及减少占用空间(Footprint)等方面更有优势。
但是,“这种技术上的潜力与实际的大量生产还有距离”,Arkalgud论述道,并列举了以下两个课题。一个是保证量产性的材料、工艺及制造装置各项技术的确立。为此,需要在相关各方均赞同的基础上制定路线图,尤其在有问题的技术领域推进业界整体开发资源的融合等。另一个是,使整个供应链都支持该技术。要使芯片制造、封装以及测试等整个供应链都支持。为此,他说“应该在制造装置及LSI产品等的层面上推进业界标准化”。
并且,Arkalgud还表示,“不应将三维连接视为单一的要素技术”。此话有两个含意。第一,由导入三维技术来提高生产效率,应由各层供货商齐心协力来实现,而不是诸如只需特定的制造装置业界努力就能实现的问题。需要前端工序、封装、设计、测试等电子产业整体的合作。第二,成本优势不是单从芯片,而应是从整个系统出发来评估。 |
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