折叠式共源共栅运放折叠点处的阻抗

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我笨的要死

   

yyrrsilicon 发表于 2010-5-14 16:21
你说得也对，也不对。相信你是认真思考过的，值得鼓励。

严格的说：频率很低时，这点向上看到的阻抗确实 ...

大佬我想问一下 如果没有输出没有负载电容，折叠电容的电容理论上是比输出的寄生电容大的，折叠点的阻抗是否为ro量级，同时会不会因为密勒效应导致，折叠点的电容比较大。

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1.拉扎维是对的，书中在论述这句话时，加了条件“短路电流约等于M1的漏电流，因为从M3的源端档里看、所看到的阻抗，即1/gm3//ro3...”，这句话里如果在因为的后面加上“短路时”，就完全OK了，所以书上的表述只是让人产生歧义，并不是错误；
2.楼主的提问也是对的，从M3的源端向上实际看到的阻抗确实约为一个ro；
楼主的提问和拉扎维的论述是两个不同的观点，一个是计算输出短路下的等效GM，一个是考虑直流状态下的输出ro，只是没有把前提条件列出来而已。
按照楼主的思路去计算增益也是一样的，以CS放大器为例，假设负载为ro，则VIN输入产生的小信号电流经过两个ro的分流，在负载端所产生的电压为gm(ro//ro)VIN，其等效增益仍为gm（ro//ro）。