运放的管子不饱和怎么办

wanghao831218 · 发表于 2009-9-14 20:52:36

一定要给电流偏置，看Vds sat电压是不是在200mV 左右
必要的时候可以用 OP分析来看是不是饱和了

hurongguang · 发表于 2009-9-14 21:10:51

原帖由 panahu 于 2009-9-14 19:44 发表

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随意给NMOS管子和PMOS三个端点加电压，这一步的目的是查看管子的阈值电压仿真的时候，测这个干吗仿真模型里，没有吗

库文件里给的是VTH0，BISM3V3以后的模型，实际阈值电压和库里面给的相差很大，比如0.18um, 电源电压为1.8V的库文件中，新加坡charted公司的库文件里给NMOS的阈值电压是：0.39V，但是实际上即使源端接地，阈值电压大概是：0.48V

hurongguang · 发表于 2009-9-14 21:17:40

11楼的说的是固定电流的调试方法也是可行的

我说的是固定过驱动电压的调试方法

前提条件是你给的晶体管的栅极电压要和过驱动电压的关系满足临界饱和的条件

floppish · 发表于 2009-9-14 21:25:59

fab 厂给的SPECTRE仿真工艺值确实有不准的时候

semico_ljj · 发表于 2009-9-15 13:22:40

说的对！！！！

yangyu3213 · 发表于 2009-9-15 21:24:02

原帖由 panahu 于 2009-9-14 19:44 发表

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随意给NMOS管子和PMOS三个端点加电压，这一步的目的是查看管子的阈值电压仿真的时候，测这个干吗仿真模型里，没有吗

同意楼上的
仿真模型里是有阈值电压的啊。

yangyu3213 · 发表于 2009-9-15 21:26:05

过驱动电压给0.2v是不是有点冒险？

newway · 发表于 2009-9-16 08:24:56

原帖由 yangyu3213 于 2009-9-15 21:26 发表

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过驱动电压给0.2v是不是有点冒险？

多吗, 如果电源电压只有1.8v, 每个管子都是0.2的过驱动电压, 那摆幅就快没有了啊

liusupeng · 发表于 2009-9-17 15:37:14

this is basic calculation.

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