讨论：电路设计中的过驱动电压Vod的选择

Luxuchang · 发表于 2015-2-1 16:41:11

做低功耗管子，输入管去几个mv可以，使输入管处于亚阈值区，如果管子W、L做大点就更好了，低噪!

jirumin · 发表于 2015-3-2 18:48:03

学习了

qiaogang2220 · 发表于 2015-3-2 21:30:22

本帖最后由 qiaogang2220 于 2015-3-2 21:31 编辑

回复 1# Young_W

一般是取100~200mV左右，因为即使在不同的工艺线程下，电流跨导效率（gm/Id）与特征频率fT的乘积（fT*gm/Id）的优值在这个区间内，工艺线程越小，通常优值相对小一点。通常Vod越大，fT越大，速度越快；Vod越小，gm/Id越大，功耗就低，可以根据实际电路情况不同选择不同的Vod。

MISU · 发表于 2024-5-17 15:43:51

+1 帮顶，以前不管什么都200mV, 不知如果100会不会影响其他的量

s_uni · 发表于 2024-6-25 17:47:38

200mV线性度好吧，功耗大。
100到150 各方面比较平衡

Daitenghui · 发表于 2024-10-21 13:46:55

学习了

LukaReece · 发表于 2025-7-8 10:40:22

Young_W 发表于 2009-8-23 23:08
输入管设置在70~100mV之间，MOSFET可能处于弱反型，跨导也会降低，是否能说明下选择的依据？ ...

同样问题，期待高人指点

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