vco振幅

meeda · 发表于 2009-4-1 08:41:29

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低压工艺中,如1.2V 90nm,在满足相位噪声的前提下,VCO的输出峰峰值最小大概多少就行了

zzchuih · 发表于 2009-4-1 11:05:22

此问题有些难回答，因为根据噪声的程度
以及您所用工意的参数有所关联，不过依
0.13um,1.2v的设计经验可以做到0.5V
peak-to-peak设计於频率为1.6G，
有小於-100dBc/Hz offset 1M

heweyou · 发表于 2009-4-2 11:15:06

能够请教下二楼的，你用的是NPMOS交叉耦合结构还是单NMOS或PMOS结构

mmic1978 · 发表于 2009-11-3 14:22:34

应该是 NPMOS交叉耦合结构

kyoabc · 发表于 2009-11-3 15:19:10

我也来学习一下相关指标

scpuke · 发表于 2009-11-4 10:08:31

低压工艺中,如1.2V 90nm,在满足相位噪声的前提下,VCO的输出峰峰值最小大概多少就行了
meeda 发表于 2009-4-1 08:41

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这个没有一个绝对的值，个人觉得在corner下提取layout寄生参数之后vco tank上的电压峰峰值最好不要小于300mV吧，否则起振可能就不能保证了。至于vco经过buffer后的幅度就更不好说了，这个要看后面divider的接口要求。从噪声角度来说， tank上的电压幅度也不是越大越好，太大了非线性效应更强反而会恶化相位噪声。

tulipbear97 · 发表于 2009-11-4 14:15:31

这是很有趣的回答，多数论及相躁多是说
最好是非常不线性的切换-->代表切换速度快(由於加电流得到的效果)

mmic1978 · 发表于 2009-11-4 14:39:25

6# scpuke

some datasheet specs like ADI say 300mV~700mV

fallangel · 发表于 2009-11-5 10:25:43

最好是电流可调可以控制输出幅度，个人觉得看不同的应用了。

mmic1978 · 发表于 2009-11-18 10:38:48

最好是电流可调可以控制输出幅度，个人觉得看不同的应用了。
fallangel 发表于 2009-11-5 10:25

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电流的switching,很难保证切换都起振cover全频带，大家讨论下

迷惑中。。。

是否设计需要重视电流受限区和电压受限区的分析和选定？

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