我在阅读SDRAM资料时,遇到下面的问题,请各位高手给予解答,谢谢!
表1. SDRAM 总线命令
命 令 缩 写 RASN CASN WEN
No operation 空操作 NOP H H H
Active 激活 ACT L H H
Read 读操作 RD H L H
Write 写操作 WR H L L
Burst terminate 突发中止 BT H H L
Precharge 预充电 PCH L H L
Autorefresh 自动刷新 ARF L L H
Load mode register 装入模式寄存器LMR L L L
表3. 接口命令
Command ValueDescription
NOP 000b 空操作
READA 001b 带自动预充电的SDRAM 读操作
WRITEA 010b 带自动预充电的SDRAM 写操作
REFRESH 011b SDRAM 自动刷新
PRECHARGE 100b对SDRAM 所有存储体预充电
LOAD_MODE 101b SDRAM 模式寄存器装入r.
LOAD_REG1 110b 装入控制器配置寄存器
LOAD_REG2 111b 装入控制器刷新周期寄存器
我想问的问题是:在以上两个表中,总线命令和接口命令之间的关系究竟是怎样的呢?在接口命令中找不到总线命令中相对应的ACT信号,那么该信号在SDRAM中是如何产生的呢?
非常感谢各位大侠给予帮助!