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发表于 2009-2-11 12:14:51
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这个顺序是不能调换的。其中的原理还需要知道DRAM本身的原理。
precharge all banks->
注: 我们知道,DRAM中的数据是非持久的,内部的每个bit的实现相当于一个电容。有电表示1,没电表示0. 我们知道电容是需要充电的,所以一开始就需要precharge all bank.
write 8 CBR refresh -〉
注:电容里的电也会慢慢没掉,所以需要定期充电,这就是Refresh, CBR refresh是其中一种refresh操作。 而这里为什么要等8个CBR周期呢,是因为一开始DRAM上电后不稳定,需要等它稳定好了再进行后面的操作。
write mode register write-〉
注:需要了解DRAM的结构,DRAM中其实是有一个控制器的,我们可以通过Mode Register去配置这个控制器的工作模式,所以一开始需要配置Mode Register, 包括 operation mode, CAS length 和burst length.
write normal operation |
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