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EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › Analog/RF IC 设计 › Analog/RF IC 设计讨论 › 关于gate oxide capcitor

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查看: 2375|回复: 4

关于gate oxide capcitor

发表于 2009-1-20 08:33:49 | 显示全部楼层 |阅读模式

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最近在做高压的process，发现高压的gate oxide cap比低压的小，不知道什么原因，请哪位大侠指教！

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发表于 2009-1-20 09:35:30 | 显示全部楼层

栅氧变厚了，c反比于介质厚度。

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发表于 2009-1-20 16:52:13 | 显示全部楼层

呵呵，该回答言简意赅，强

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发表于 2009-1-26 21:06:04 | 显示全部楼层

严重同意

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发表于 2009-1-27 22:32:14 | 显示全部楼层

这个要和衬底的掺杂类型有关吧？

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