关于中芯国际0.18um工艺的问题

蓝一 · 发表于 2015-12-19 10:49:44

是啊，看着你们聊天，我觉得我就学到很多东西

SHAOJIHUA1234@1 · 发表于 2016-4-6 11:05:08

duhongli1113 · 发表于 2017-5-3 10:28:49

好帖子，继续讨论。我比较关注高压工艺

lxzhero1 · 发表于 2017-8-1 21:29:57

don't know.

12041129 · 发表于 2018-3-21 09:56:00

回复 22# 海之子306916

您好，请问可不可以不让NMOS的背栅BG接地，接一个固定电平，来调整NMOS的阈值电压？这样和会不会增加工艺流程，这和使用medium NMOS有什么区别？

ceeall · 发表于 2018-11-19 15:20:29

应该可以吧

isstone · 发表于 2023-10-16 18:30:41

好帖，感谢！

bwm5277 · 发表于 2023-10-17 09:32:11

Native device 不需要額外的 Mask, 而 Medium device 則需要額外的 Mask.?

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