请问为何要使用secondery ESD?

hym4063

我个人理解是因为衬底电势差，不知对否？

duduxy

一般而言,2nd的ESD器件比较容易开启,但防护能力较弱,1st的ESD器件比较难开启,但防护能力强.
ESD pulse来的时候,2nd的ESD先起作用,当流过一定的电流时,由于1st,和2nd之间一个串联电阻的作用使在1st的电压显著增大,这样就促使1st的ESD器件能均匀开启,起到有效防护的作用.

简单来说,加了串联电阻和2nd器件,能增大1st的Vt2,还能使其更均匀开启. 另在2nd器件在CDM防护设计上也有帮助.

hym4063

   

原帖由 duduxy 于 2008-11-24 09:00 发表

                               
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一般而言,2nd的ESD器件比较容易开启,但防护能力较弱,1st的ESD器件比较难开启,但防护能力强.
ESD pulse来的时候,2nd的ESD先起作用,当流过一定的电流时,由于1st,和2nd之间一个串联电阻的作用使在1st的电压显著增大,这 ...

哦，谢谢了！
还有几个小问题。。呵呵
开启是指击穿？
Vt2是指？
那为什么2nd ESD要靠近电路输入器件呢？
还望大侠不吝赐教!

[ 本帖最后由 hym4063 于 2008-11-24 10:56 编辑 ]

duduxy

   

原帖由 hym4063 于 2008-11-24 10:48 发表

                               
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哦，谢谢了！
还有几个小问题。。呵呵
开启是指击穿？
Vt2是指？
那为什么2nd ESD要靠近电路输入器件呢？
还望大侠不吝赐教!

开启一般指击穿
Vt2是指二次击穿(失效)点的ESD器件上的电压
因为2nd ESD要放在串联电阻后面,core circuit前面,这样才能使更难触发的1st器件开启. 前面已经提到了,你再看下就明白了

zhukh

   

原帖由 duduxy 于 2008-11-24 12:14 发表

                               
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开启一般指击穿
Vt2是指二次击穿(失效)点的ESD器件上的电压
因为2nd ESD要放在串联电阻后面,core circuit前面,这样才能使更难触发的1st器件开启. 前面已经提到了,你再看下就明白了

wo ding

mark231

usually is for the MM and CDM mode RSD stress

zhukh

   

原帖由 mark231 于 2009-1-4 23:52 发表

                               
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usually is for the MM and CDM mode RSD stress

would you please give more detail about why it's used for CDM ESD stress?

wontall

CDM, MM and HBM ESD evens differ in current magnitude, polarity, time constant, as well as the locaiton of current source.