求助：帮忙分析这个LDO

stoneduan

   

原帖由 walker5678 于 2008-10-6 14:19 发表

                               
登录/注册后可看大图

两个电路的PSRR到底那个好？


低频下PSRR主要由环路增益决定， 如果两个环路增益设计的差不多， 那么PSRR性能也差不多。

高频时还存在电源纹波通过寄生电容直接耦合到输出的问题，而这个耦合主要是通过驱动极 ...

思路不对

guonanxiang

   

原帖由 walker5678 于 2008-10-6 16:14 发表

                               
登录/注册后可看大图

恩。。是的， 我欠考虑了， 驱动管源极也是波动的。经过几个寄生电容的耦合，也会有相位的变化。。不过应该还是a比b要好些。

我觉得差不多，Vdd通过pass管电容直接耦合到输出，其他的寄生相对于pass管都很小

tigermouth

从架构上看，a比b的psrr要好些；
若输出级PMOS的尺寸相同，b比a的驱动能力要好些。

zjqmyron

   

原帖由 walker5678 于 2008-10-6 14:19 发表

                               
登录/注册后可看大图

两个电路的PSRR到底那个好？


低频下PSRR主要由环路增益决定， 如果两个环路增益设计的差不多， 那么PSRR性能也差不多。

高频时还存在电源纹波通过寄生电容直接耦合到输出的问题，而这个耦合主要是通过驱动极 ...

分析是对的，但只分析了输入级，单考虑输入级的话，b的psrr比a好，
但是两级同时考虑的话，a结构中有栅源抵消作用，从而a的psrr比b好

adanshen

circuit A is better

fugly316

A的PSRR比B 的大，Pmos的电流镜是不会传递VDD的波动，但是输出驱动管PMOS的源端接VDD，波动起来使得VGS有变化，传递输出
而NMOS电流镜会传递VDD波动，但是源端的波动正好两者抵消，PSRR比较高

icsb

这应该是炬力的一道笔试题吧？
首先 我觉得最大的不同 B的输出电压可以比较小，那么相同的宽长比B的电流大
也就是说B比较省面积
其次 A的PSRR要比B好，因为A的电源有个波动的话，功率管栅极由于电流镜的作用也会产生响应的波动
正好相互抵消
第三，A是NMOS输入，B是PMOS输入，宽长比一样的话，B的噪声会低些
暂时就想到这么多
其他 线性 和负载的瞬态响应好像都差不多

pandaoyzh

用于LDO，要求输出电压3V，驱动电流50mA，请比较两者的优劣。我觉得由于A驱动能力较弱，而B是PMOS输入，输出电压较低，可以满足较大的驱动电流，不知是否正确。其他的比较请各位指点


你的说法是对的，这两个电路粗略看起来是一样的，其实是不一样的．
带负载能力主要是看第一级驱动PMOS管的电压的幅度，第一级的输出最小电压只能是２个VDS，第二个是一个VDS．
使得PMOS的电阻更小，也就是带负载的能力越强．

xaut

呵呵，a的psrr比b的好，看书知道。
但对于相同的PMOS尺寸来说，b的驱动比a的好。