yin请教：采用0.13umCMOS工艺，如何使DC-DC工作在5V的输入电压

zaitian80 · 发表于 2008-8-7 13:35:10

原帖由 semico_ljj 于 2008-8-6 23:15 发表

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看tox=?,一般3。3V的器件也就4V不到了！5V一般0.25um或0.35um以上工艺才会提供！

5V应该是0.5um工艺的标准
栅直接接5V应该会让栅电场达到击穿的
我的想法是有没有可能产生一个中间2.5V电源，分高压低压两条线各自跑，当然每个P器件的栅和衬底电位都要小心考虑，所有的N器件就只能接那个2.5V的电源了

semico_ljj · 发表于 2008-8-7 18:31:20

原帖由 zaitian80 于 2008-8-7 13:35 发表

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5V应该是0.5um工艺的标准
栅直接接5V应该会让栅电场达到击穿的
我的想法是有没有可能产生一个中间2.5V电源，分高压低压两条线各自跑，当然每个P器件的栅和衬底电位都要小心考虑，所有的N器件就只能接那个2.5V的 ...

0.35um有5V工艺的！

izhu2008 · 发表于 2008-8-8 11:43:48

这个你可以把这个5V的电压分成两部分，也就是产生一个2.5V的电压，这一点很容易做到的，用电阻分压实现
然后把你的电路按照两个电压段去做控制，这样就能保证，上下区域的管子都工作在有效范围内

xiaobenyi · 发表于 2008-8-8 14:57:45

拆成两个VDS可能可以避免击穿，但是VDB，VSB可能击穿
拆成两个管子串联跟增大L是一回事，只能防止横向穿通

0.13um可以提供3.3V的管子，0.18um有5V的工艺

sprinkler · 发表于 2008-8-9 20:09:26

主要电路设计一些技巧，确保任何transistor任何两端都不超过3.6V
主要就是I/O口和LDO的设计

chenxinweihai · 发表于 2009-9-23 13:00:15

只有用5V工艺了

chrisccq · 发表于 2009-9-23 15:13:57

0p13工艺中mm工艺最高支持到3.6伏，那是工艺厂说法，其实工作在4伏没多大问题，这也符合一般电池供电电压，但是可能会有tddb效应，产品寿命问题

chiarella · 发表于 2009-9-23 15:23:23

个人认为，关键是静态的时候怎么抗5V, 没有能抗5V的器件，当连接到5V的时候，DCDC不工作，总有个器件要承受5V的电压。
所以挺难的。

david_w · 发表于 2009-9-23 16:30:18

5V 2 2.5V

navyhu · 发表于 2009-9-26 21:26:22

现在的foundy都会提供ｍｕｌｔｉ－ｖｏｌｔａｇｅ的工艺，比如ＴＳＩＭＣ　０.１８ｕｍ
可同时提供１.８V，５V，３２V不同耐压器件

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