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[讨论] 合封芯片HBM考虑

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发表于 2025-3-17 17:13:54 | 显示全部楼层 |阅读模式

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目前有接触到合封芯片需求,经验尚浅,所以希望有大佬可以解惑


比如两颗芯片合封,那合封芯片HBM路径是不是不需要特殊考虑,两颗芯片都是可以单独pass 2kV.
两颗芯片合封,那么两颗芯片的GND需要在封装上连起来吗?不连会不会有风险?
发表于 2025-3-17 17:49:43 | 显示全部楼层
QFN那种,我们常规操作就是GND全部打在框架上,短接一起了。ESD基本上2500V没啥问题
BGA的封装,一般GND就分开的,出ball的,

没有特别注意啥,直接就干了
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发表于 2025-3-17 18:02:51 | 显示全部楼层
考虑走线阻抗就行 可能因为走线变长 会差一点 但是设计能力够的话 还是能一起pass 2KV(因为这个要求也不算高)
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 楼主| 发表于 2025-3-17 18:05:57 | 显示全部楼层


   
wsmysyn 发表于 2025-3-17 17:49
QFN那种,我们常规操作就是GND全部打在框架上,短接一起了。ESD基本上2500V没啥问题
BGA的封装,一般GND就 ...


谢谢解答,目前遇到的框架不太好把GND短一起,希望没啥问题吧
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发表于 2025-6-29 21:31:30 来自手机 | 显示全部楼层


   
IC_Spark 发表于 2025-3-17 18:05
谢谢解答,目前遇到的框架不太好把GND短一起,希望没啥问题吧


这样合封之后,ESD pass了吗
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 楼主| 发表于 2025-6-30 14:42:48 | 显示全部楼层


   
jdxiaodai 发表于 2025-6-29 21:31
这样合封之后,ESD pass了吗


后面还是把封装调了,GND短一起了,没啥问题。理论上不短一起应该也是没问题
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发表于 2025-7-1 09:36:07 | 显示全部楼层
合封的芯片怎么封装,应该说是一个封装设计问题。QFN和BGA都可以有多个地,是否连在一起更多了要看噪声的影响。
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