关于wafer厚度减薄（磨）

wsrzsg

   

zpfzk 发表于 2022-8-1 10:45
说反了把，8寸725um，12寸775um

对的对的，说反了~

diamondmin

晶圆初始厚度：
2英寸（51毫米）。厚度275 μm。

3英寸（76毫米）。厚度375 μm。

4英寸（100毫米）。厚度525μm。

5英寸（130毫米）或125毫米（4.9英寸）。厚度625微米。

150毫米（5.9英寸，通常称为“6英寸”）。厚度675 μm。

200毫米（7.9英寸，通常称为”8英寸”）。厚度725μm。

300毫米（11.8英寸，通常称为“12英寸”）。厚度775 μm。

450毫米（17.7英寸，通常称为”18英寸”）。厚度925μm。

980025867

看看学习下。。

semiworker

1. FAB应该不会给做减薄，1来代工厂FAB一般不会提供晶圆CP测试服务，一般都是去测试OSAT；二来，减薄完成后就要进行划片裂片，这是有Q-time管控的，除非这家FAB厂是既有晶圆代工又有封测服务；
2.也不是每种封装类型都有减薄，像FCBGA就可以不做减薄