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[资讯] 基于国产碳化硅SiC MOSFET的高效热泵与商用空调系统解决方案

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发表于 2025-5-3 10:44:34 | 显示全部楼层 |阅读模式

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基于BASIC Semiconductor基本半导体股份有限公司  碳化硅SiC MOSFET的高效热泵与商用空调系统解决方案 5437824213AAA756DBD51506CCA7AE0F_w810h1080.jpg
BASiC基本股份SiC碳化硅MOSFET单管及模块一级代理商倾佳电子杨茜 微信&手机:13266663313
倾佳电子(Changer Tech)-专业汽车连接器及功率半导体(SiC碳化硅MOSFET单管,SiC碳化硅MOSFET模块,碳化硅SiC-MOSFET驱动芯片,SiC功率模块驱动板,驱动IC)分销商,聚焦新能源、交通电动化、数字化转型三大方向,致力于服务中国工业电源,电力电子装备及新能源汽车产业链。
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一、行业挑战与SiC技术优势商用空调与热泵系统正朝着高效化、高频化和小型化方向发展,传统IGBT器件因开关损耗高、热管理压力大等问题逐渐成为系统瓶颈。碳化硅(SiC)MOSFET凭借其宽禁带特性,在高温工况下仍能保持优异的电气性能:
开关损耗降低40%:1200V SiC MOSFET的开关频率可达IGBT的3倍以上,显著提升系统功率密度;
耐高温能力:SiC器件结温可达175℃,支持在80℃散热器温度下长期稳定运行;
系统效率提升:在11kW输出时,SiC方案整机效率达97.73%,较IGBT方案(97.01%)提升0.72个百分点。
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二、核心器件选型与技术分析1. 主功率模块:BMS065MR12EP2CA2关键参数:1200V/25A,RDS(on)65mΩ(@VGS=18V);
封装创新:采用Pcore™12封装,集成三相PFC+逆变功能,内置NTC热敏电阻,支持实时温度监控;
实测表现:在11kW输出时,模块总损耗仅249.47W(整流+逆变),最高结温134.89℃,显著优于IGBT模块(总损耗329.09W,结温126.99℃)。
2. 分立器件:B3M040120Z(第三代SiC MOSFET)FOM优化:较第二代产品(3600mΩ·nC)降低5.6%,动态损耗减少18%;
高温稳定性:RDS(on)在175℃时仅上升至常温值的1.3倍,优于沟槽栅竞品(如IMZA120R040M1H,高温RDS(on)上升1.6倍);
双脉冲测试:在800V/40A条件下,总损耗826μJ,较C3M0040120K(861μJ)降低4%。

三、驱动与电源解决方案1. 驱动方案:BTD5350MCWR+隔离变压器TR-P15DS23-EE13米勒钳位功能:通过低阻抗路径快速泄放门极电荷,实测中可将下管VGS峰值从7.3V抑制至2V,彻底避免SiC MOSFET误开通风险;
集成化设计:驱动板BSRD-2423-ES01支持双通道10A峰值电流输出,兼容24V/5V输入,简化系统布局。
2. 辅助电源:反激控制芯片+SiC MOSFET B2M600170H高可靠性设计:采用1700V SiC MOSFET作为原边开关管,耐压裕量充足,支持150W输出功率;
频率可编程:工作频率最高500kHz,搭配EE13铁氧体变压器,实现92%以上转换效率。
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四、仿真与实测性能对比指标BMS065MR12EP2CA2(SiC)FP35R12N2T7_B67(IGBT)优势对比
11kW总损耗 249.47W 329.09W 降低24%
热设计更宽松
系统效率97.73% 97.01% 提升0.72
开关频率(逆变侧)40kHz 20kHz 翻倍

五、方案推荐理由全链路效率提升:从PFC整流到三相逆变,SiC方案整体损耗降低20%以上,助力系统能效突破98%;
高频化与小型化:支持40kHz高频开关,磁性元件体积减少50%,适用于紧凑型商用空调热泵设计;
高可靠性保障:内置NTC温度监控、米勒钳位功能及软启动机制,确保系统在-40~125℃环境下稳定运行;
成本效益优化:尽管SiC器件初期成本已经与进口IGBT模块相当,系统寿命周期内节省的能耗与维护费用更有优势。

六、快速实现商空热泵产品升级,抢占高效节能市场先机基本股份BASIC Semiconductor的SiC MOSFET解决方案通过器件创新(如Pcore™封装、第三代平面栅工艺)与系统级设计(驱动、电源配套),为商用空调和热泵提供了高效、可靠的电力电子核心。其仿真与实测数据表明,该方案在效率、热管理和频率性能上全面超越传统IGBT方案,是下一代绿色节能系统的理想选择。
推荐场景
高功率密度商用变频空调
低温热泵供暖系统
工业级高频逆变器
光伏储能一体化设备
通过采用此方案,客户可快速实现产品升级,抢占高效节能市场先机。
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